• 基于简单支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长【亚博APP下载链接】
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基于简单支架的多片4H-SiC化学气相沉积同质外延生长【亚博APP下载链接】

轮播图
本文摘要:在这项工作中,我们展示了简单的方法,通过制造的传统单晶晶片化学气相沉积设备,在没有大型基座的情况下,在非常简单的支架上配置了多块4H-SiC基板。图1:在(a)具有CVD室和(b)晶片的特定支架、(c)生长过程的示意图制作的高压化学气相生长反应器中展开了4H-SiC均相生长。

在商用化学气相沉积装置中,一次运转就可以构筑多片4H-SiC基板的同质外延生长,但需要在可旋转的大型基座上搭载晶片,基座的直径随着数量和外延晶片的总面积减少而减少。在这项工作中,我们展示了简单的方法,通过制造的传统单晶晶片化学气相沉积设备,在没有大型基座的情况下,在非常简单的支架上配置了多块4H-SiC基板。本文利用光学显微镜、AFM、SEM、拉曼光谱研究了各晶片上得到的4H-Si薄膜的结构性质。

生长

结果表明,在各晶片的内部区域获得了高质量的同质外延生长4H-SiC薄膜。另一方面,在外部领域,因为受到非常简单的托架的机械部件的影响,所以质量会上升。

最后,我们利用晶片支架增加了更有利的外部区域,显示了晶片整体的同质外延生长,大幅度提高了生产效率,减少了能源消耗。图1 :在(a )具有CVD室和(b )晶片的特定支架、(c )生长过程的示意图制作的高压化学气相生长反应器中展开了4H-SiC均相生长。

基板

CVD反应器具备横向的热壁室。图1(a )表示腔室的示意图。图1(b )表示搭载晶片的特定晶片保持器。在图1(b )中,3张4H-SiC基板相同。

基板

槽之间的距离(d )通常为1cm,可以根据情况进行定制。生长过程如图1(c )的右图所示。

生长前,将晶片在20kPa和1400下展开H2转印处理30分钟,避免污染和基板表面的损伤。外延生长在10kPa和1600下展开60分钟。


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